米勒電容：在柵極（G）和漏極（D）之間的一個寄生電容。
當(dāng)MOSFET關(guān)斷時，米勒電容的存在，會使MOS管的Vds產(chǎn)生一個電壓從接近0（飽和壓降）到母線的變化過程，這個電壓變化率就是“dv/dt”，然而電容就是電壓變化發(fā)生作用的器件，電壓在電容兩端變化，即產(chǎn)生電流“i”。
GS之間有一層絕緣體，也就是二氧化硅（SiO2），因此G-S之間就是高阻抗（幾十到幾百兆不等），一旦驅(qū)動異常，它可能會通過米勒電容的電流給G-S充電，小電流高阻抗可能對應(yīng)著高電壓，柵極電壓被充電，當(dāng)超過門檻電壓“Vgs(th)”，就會導(dǎo)致MOSFET重新開通，這是十分危險的情況。
可以看這個反激電源拓?fù)涞腗OSFET驅(qū)動，它就是米勒電容電流通過驅(qū)動芯片內(nèi)部下拉低阻回路進行釋放，避免柵極被充高而誤導(dǎo)通。
在這里我們就知道了，驅(qū)動芯片內(nèi)部已經(jīng)存在泄放下拉電阻，但如果驅(qū)動電阻Rg在以外情況下開路或者沒有連接，那么下拉電阻（R8）就可以給米勒電容提供泄放路徑，讓MOS管G-S之間保持低阻抗，穩(wěn)定安全狀態(tài)。這就是下拉電阻的重要作用了。
下拉電阻還有另一個作用：預(yù)保護電阻
我們知道MOS管G-S是高阻抗，這也是為什么它是 ESD敏感器件的原因。它的高電壓施加在門極不易泄放，累積過程會損壞G-S極之間那層二氧化硅，導(dǎo)致器件失效。
因此，下拉電阻還兼顧了功耗和實際泄放效果。一般這個電阻選值在中小功率電源中（0~500W）選擇大概10K-20K，大功率電源選擇4.7K~10K。
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報價以及產(chǎn)品介紹
聯(lián)系號碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280