1.基本邏輯門
開(kāi)關(guān)二極管可用于極低成本的解決方案中，以實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單、低速的邏輯功能。如圖5-1所示，控制信號(hào)A和B通過(guò)兩個(gè)二極管連接到電阻器R1，一旦至少一個(gè)信號(hào)具有顯著高于VF的正電壓電平，電流將流過(guò)R1。如果我們將簡(jiǎn)單電路視為邏輯函數(shù)，則會(huì)創(chuàng)建一個(gè)或門，如果一個(gè)輸入信號(hào)A或B或兩者都獲得正輸入電壓，則R1處存在正電壓。通過(guò)增加更多的二極管，電路可以很容易地?cái)U(kuò)展，以這種方式連接更多的控制信號(hào)。
圖5-1：用于邏輯或功能的二極管
二極管使輸入信號(hào)彼此解耦，如果一個(gè)信號(hào)顯示邏輯高狀態(tài)，則沒(méi)有電流會(huì)流回具有邏輯低狀態(tài)的其他信號(hào)。如果該電路連接到開(kāi)關(guān)級(jí)，例如BJT或FET，則可以控制許多類型的驅(qū)動(dòng)器和負(fù)載，它們可以用不同于輸入信號(hào)A和B的電壓工作。圖5-2描述了這種情況，Q1切換負(fù)載電阻器Rload，如果選擇了合適的FET，則可以無(wú)限制地選擇負(fù)載電源電壓。漏極引腳處的電壓可以被視為R1處的電壓的反相信號(hào)，二極管產(chǎn)生的或門之后是反相器，因此建立了或門。
圖5-2：增加了FET開(kāi)關(guān)，擴(kuò)展了二極管的OR功能
如果與圖5-1相比，開(kāi)關(guān)二極管反向連接，即在節(jié)點(diǎn)C處具有公共陽(yáng)極，如圖5-3所示，則一旦至少一個(gè)輸入具有地電平，R1處的電壓為VF。如果所有輸入都提供邏輯高狀態(tài)，則信號(hào)C的電壓也將提供邏輯高態(tài)，所討論的電路提供了AND功能。同樣，它可以通過(guò)添加更多的二極管來(lái)擴(kuò)展到更高數(shù)量的輸入。添加閾值電壓高于VF的FET提供了切換各種負(fù)載的選項(xiàng)，并且如果該方法用作NAND功能，則漏極信號(hào)具有干凈的低電平。
圖5-3：二極管AND功能
添加閾值電壓高于VF的FET提供了切換各種負(fù)載的選項(xiàng)，并且如果該方法用作NAND功能，則漏極信號(hào)具有干凈的低電平。然后圖5-4中的信號(hào)C可以用作進(jìn)一步電路的適當(dāng)控制信號(hào)。
圖5-4：添加FET開(kāi)關(guān)的二極管AND功能
如果必須同時(shí)存在具有正電壓的多個(gè)控制信號(hào)，則通常使用AND功能。可能有幾個(gè)開(kāi)關(guān)保護(hù)系統(tǒng)的正常狀態(tài)--->例如所有門都關(guān)閉，但是一些電源電壓可能是強(qiáng)制性的，以實(shí)現(xiàn)后續(xù)的操作。
2.電壓鉗位
開(kāi)關(guān)二極管通常用于軌對(duì)軌方法中的電壓鉗位，圖5-5描述了該解決方案。如果對(duì)地電平的負(fù)電壓浪涌脈沖進(jìn)入系統(tǒng)，則低壓側(cè)二極管導(dǎo)通，并將信號(hào)S1的電壓箝位至−VF。對(duì)于正浪涌事件，一旦電壓超過(guò)VCC+VF，上部二極管開(kāi)始導(dǎo)通。通常大電容器連接到電源線，在本例中稱為VCC，并且該線的阻抗通常很低，連接了許多負(fù)載。因此電壓VCC不會(huì)因不具有高能量的ESD沖擊而增加太多。如果可以預(yù)期更高的能量脈沖和長(zhǎng)持續(xù)時(shí)間的過(guò)電壓脈沖，則可以反向向電源添加齊納二極管或TVS二極管。在圖5-5中，TVS二極管用虛線連接，過(guò)電壓限制為VBR+VF，VBR是齊納二極管的擊穿電壓，VF是圖5-5中上部開(kāi)關(guān)二極管的正向壓降。
圖5-5：開(kāi)關(guān)二極管用作輸入保護(hù)
3.電荷泵開(kāi)關(guān)電壓反相
電荷泵由用于儲(chǔ)能的電容器和作為開(kāi)關(guān)元件的二極管組成，是開(kāi)關(guān)二極管的另一個(gè)應(yīng)用實(shí)例。在使用運(yùn)算放大器的應(yīng)用中，通常需要負(fù)電源電壓，以便使用接地作為放大器的參考，圖5-6顯示了一個(gè)電壓反相器，振蕩器在GND電平和電壓V1之間切換。如果振蕩器輸出正電壓V1，則C1通過(guò)D1充電到V1-VF，一旦電壓源切換到GND，則充電的電容器的正極就會(huì)接地。通過(guò)這種切換操作，現(xiàn)在在電容器的負(fù)極處存在對(duì)地的負(fù)電壓，二極管D1被反向偏置并且不導(dǎo)通，但是D2在正方向上被偏置，因此C2被充電，產(chǎn)生對(duì)GND的負(fù)電壓。在下一個(gè)振蕩器周期，D2阻斷C2的放電，C1通過(guò)D1重新充電。Vout是來(lái)自振蕩器的反向正電壓，損耗來(lái)自兩個(gè)二極管的正向電壓降，因此Vout=V1–2×VF。
電容必須具有足夠高的電容，以實(shí)現(xiàn)Vout上的最低紋波電壓，這些值取決于開(kāi)關(guān)頻率和最大負(fù)載電流。
圖5-6：采用電荷泵方法的電壓反相器
電壓倍增
圖5-7描述了一個(gè)可以使電源電壓加倍的電荷泵電路，電路有一個(gè)DC電源V1和一個(gè)假定在GND電平和正電壓V1之間切換的振蕩器。如果振蕩器輸出GND電平，則C1充電至V1-VF，C2也被充電至V1−2×VF。一旦振蕩器切換到輸出電壓V1，充電的C1的負(fù)極向上移動(dòng)V1，因此電荷可以從C1流入C2，從而增加輸出電壓。對(duì)于Vout，方程式為：
倍壓電路可以通過(guò)增加級(jí)進(jìn)行擴(kuò)展，如果忽略二極管的正向電壓損耗，輸入電壓就可以增加N倍。
圖5-7：采用電荷泵方法的倍壓電路
4.峰值電壓檢測(cè)
圖5-8顯示了一個(gè)簡(jiǎn)單的峰值電壓檢測(cè)器，其中有一個(gè)由二極管D1整流的交流電源，C1充電到輸入信號(hào)的正峰值電壓減去VF。該電路用作峰值電壓檢測(cè)器，通過(guò)放電電阻R1，C2再次放電，并且不會(huì)永遠(yuǎn)保持在之前施加的最高電壓。利用RC時(shí)間常數(shù)τ=R1×C1時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)C1的放電。選擇一個(gè)明顯高于輸入信號(hào)中單個(gè)振蕩持續(xù)時(shí)間Tin的時(shí)間常數(shù)，構(gòu)建AM解調(diào)器。輸入信號(hào)的幅度必須明顯大于開(kāi)關(guān)二極管的VF，對(duì)于AM解調(diào)，載波信號(hào)不應(yīng)低于或接近VF。
圖5-8：峰值電壓檢測(cè)器，AM解調(diào)器
圖5-8所示的簡(jiǎn)單電路的缺點(diǎn)通過(guò)圖5-9所示的更復(fù)雜的方法得到了解決，運(yùn)算放大器的正輸入端連接到交流電源。輸出端連接到二極管，并從陰極側(cè)直接耦合回負(fù)輸入端。然后C1被充電到輸入信號(hào)的正峰值電壓。負(fù)極性輸入電壓允許運(yùn)算放大器限幅在最大負(fù)輸出電壓水平，二極管阻斷該電壓，因此C1上的電壓不會(huì)受到限制。
圖5-9：精密峰值電壓檢測(cè)器
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