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  • mos管場效應管的工作原理與mos場效應管測量方法
    • 發(fā)布時間:2021-03-15 17:18:52
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    mos管場效應管的工作原理與mos場效應管測量方法
    MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(最高可達1015)。它也分N溝道m(xù)os場效應管和P溝道m(xù)os場效應管,mos場效應管符號如圖1所示。通常是將襯底(基板)與源極S接在一起。根據(jù)導電方式的不同,MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指:當VGS=0時管子是呈截止狀況,加上正確的VGS后,多數(shù)載流子被吸引到柵極,從而“增強”了該區(qū)域的載流子,形成導電溝道。耗盡型則是指,當VGS=0時即形成溝道,加上正確的VGS時,能使多數(shù)載流子流出溝道,因而“耗盡”了載流子,使管子轉向截止。
    以N溝道m(xù)os場效應管為例說下mos場效應管工作原理,N溝道m(xù)os場效應管是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N+,再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通,二者總保持等電位。圖1(a)符號中的前頭方向是從外向電,表示從P型材料(襯底)指身N型溝道。當漏接電源正極,源極接電源負極并使VGS=0時,溝道電流(即漏極電流)ID=0。隨著VGS逐漸升高,受柵極正電壓的吸引,在兩個擴散區(qū)之間就感應出帶負電的少數(shù)載流子,形成從漏極到源極的N型溝道,當VGS大于管子的開啟電壓VTN(一般約為+2V)時,N溝道管開始導通,形成漏極電流ID。
    mos管場效應管
    國產(chǎn)N溝道m(xù)os場效應管的典型產(chǎn)品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均為單柵管),4DO1(雙柵管)。它們的管腳排列(底視圖)見圖2。
    MOS場效應管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電,而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓(U=Q/C),將管子損壞。因此了廠時各管腳都絞合在一起,或裝在金屬箔內(nèi),使G極與S極呈等電位,防止積累靜電荷。管子不用時,全部引線也應短接。在測量時應格外小心,并采取相應的防靜電感措施。
    mos場效應管測量方法
    (1).準備工作
    測量之前,先把人體對地短路后,才能摸觸MOSFET的管腳。最好在手腕上接一條導線與大地連通,使人體與大地保持等電位。再把管腳分開,然后拆掉導線。
    (2).判定電極
    將萬用表撥于R×100檔,首先確定柵極。若某腳與其他腳的電阻都是無窮大,證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量,S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐,其中阻值較小的那一次,黑表筆接的為D極,紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品,S極與管殼接通,據(jù)此很容易確定S極。
    (3).檢查放大能力(跨導)
    將G極懸空,黑表筆接D極,紅表筆接S極,然后用手指觸摸G極,表針應有較大的偏轉。雙柵MOS場效應管有兩個柵極G1、G2。為區(qū)分之,可用手分別觸摸G1、G2極,其中表針向左側偏轉幅度較大的為G2極。
    目前有的MOS場效應管在G-S極間增加了保護二極管,平時就不需要把各管腳短路了。
    MOS場效應管使用注意事項。
    MOS場效應管在使用時應注意分類,不能隨意互換。MOS場效應管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿,使用時應注意以下規(guī)則:
    (1).MOS器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中,切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起,或用錫紙包裝
    (2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑動,應用金屬盤來盛放待用器件。
    (3).焊接用的電烙鐵必須良好接地。
    (4).在焊接前應把電路板的電源線與地線短接,再MOS器件焊接完成后在分開。
    (5).MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。
    (6).電路板在裝機之前,要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子,再把電路板接上去。
    (7).MOS場效應管的柵極在允許條件下,最好接入保護二極管。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極管是否損壞。
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