場效應管極是如何區(qū)分的
1.判斷柵極G
MOS驅動器主要起波形整形和加強驅動的作用:假如MOS管的G信號波形不夠陡峭，在點評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉換效率，MOS管發(fā)燒嚴峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號驅動能力不夠，將嚴峻影響波形跳變的時間.
將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大，并且交換表筆后仍為無限大，則證實此腳為G極，由于它和另外兩個管腳是絕緣的。
2.判斷源極S、漏極D
將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）
在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型值）。
場效應結構及原理
1、場效應管（FET）以其高輸入電阻、低噪、熱穩(wěn)定、便于集成的優(yōu)點在電子電路以及大電流、大電壓電路中應用十分普遍；正確使用、判別場效應管的管腳、極性十分必要；
2、同三極管一樣，要熟練判別場效應管的管腳、極性必須先了解一下其結構、原理；
3、場效應管的管腳有柵極G、漏極D、源極S三個電極（雙柵極管具有四個電極）；
4、場效應管按結構分結型場效應管（JFET）、絕緣柵場效應管（MOS），絕緣柵場效應管又分增強型和耗盡型；結型場效應管的“結”指的是pn結，絕緣柵場效應管的絕緣柵指的是柵極與源極、漏極之間有一層sio2絕緣層，它們之間沒有導通連接關系。
5、按導電溝道性質，結型場效應管和絕緣柵場效應管又分電子型（n）溝道、空穴型（p）溝道，這是場效應管導電的通道；
6、場效應管屬于單極性晶體管，三極管屬于雙極性晶體管，也即前者僅僅由一種載流子導電，后者是由兩種載流子導電；
7、場效應管屬于壓控型晶體管，通過柵極與源極之間的電壓的變化，來改變溝道的導電能力；三極管屬于電流控制型晶體管，通過電流的變化改變集電極電流大小。
結型場效應管結構
1.漏極D和源極S之間的半導體類型是相同的，也即同是p型或n型半導體，它們之間的正反向電阻是相等的，并且阻值比較小；
2.柵極G連接半導體類型與漏極D、源極S連接的半導體類型總是不同的；
3.柵極G與漏極、源極之間有pn結，pn結的正向電阻小，反向電阻大；結型場效應管工作原理：在柵極與源極上加上反向電壓后，pn結厚度會發(fā)生變化，從而改變了導電溝道的導電能力；
絕緣柵場效應管結構
（一）增強型MOS管從結構上看
1.柵極G與漏極D、源極S之間相絕緣，它們之間的電阻無限大；
2.沒有外加電壓時漏極與源極之間不導通；增強型NMOS管是以P型硅片作為基片（又稱襯底），漏極連接的為N半導體，襯底與源極連在一起，故P型襯底與漏極N型半導體會形成二極管，稱為寄生二極管；因此漏極和源極之間的反向電阻很小。
增強型MOS管工作原理：在柵極與源極之間加上正向電壓后，達到一定值后就會形成導電溝道，改變電壓就改變了導電溝道的寬度和導電能力；
（二）耗盡型MOS管從結構上看
1.柵極與漏極、源極絕緣，它們之間的電阻無限大；
2.漏極與源極之間能夠導通，溝道在制造時就已形成；在柵極與源極之間加上反向向電壓后，改變電壓就改變了導電溝道的寬度和導電能力；
場效應管極的檢測方法
一、結型場效應管
結型場效應管的漏極和源極在制造工藝上是對稱的，故兩極可以互換，不影響正常工作；只需要判別柵極和溝道類型將萬用表撥至R×100Ω檔，測量場效應管任意兩個極之間的電阻，正反各一次，有以下幾種情況：
1.若兩次測的的阻值相同或相近，則這兩極是漏極D、源極S，剩下的就是柵極；然后紅筆不動，黑筆接觸柵極，若阻值較大則測得的為pn節(jié)反向電阻，黑筆接的是n，紅筆接的是p，所以該管子為p溝道,反之就是n溝道；
2.若兩次測得的是一大一小，表明其中一個就是柵極，另一個就是漏極或源極。以阻值小的那一次為準，紅筆不動，黑筆接另一個極，如果阻值小，并且與黑筆換極前測得的阻值相等或相近，則紅筆接的是柵極，且該管子為p溝道；如果測得的阻值與黑筆換極前測得的阻值有較大差距，則黑筆換極前接的是柵極，該管子為n溝道場效應管；或者直接任意測量兩極之間的正反向電阻，遇到第一種情況，即可判別柵極，這種比較簡單。有興趣的朋友可以試測一下3DJ6結型場效應管，該管子為電子型導電溝道。
二、絕緣柵場效應管
NMOS增強型管‘
1.電極檢測
正常的增強型NMOS管的柵極與漏極、源極之間均無法導通，它們的正反向電阻均無窮大，在G極無電壓時，DS之間無溝道形成，但由于漏極源極之間存在一個反向寄生二極管，故漏極源極之間的反向電阻較小；選擇R×1kΩ，測量各腳之間的正反向電阻；當出現(xiàn)一次阻值較小時，紅筆接的是漏極，黑筆接的是源極，余下的引腳就是柵極。
NMOS耗盡型管
基本過程同上，源極、漏極能夠導通，但由于反向寄生二極管的存在，兩次的電阻是有差異的。
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